Общие характеристики:

• Схема усиления: Class-D (цифровое)
• Количество каналов:4/3/2-Канала
• Блок питания: с широтно-импульсной модуляцией и преобразованием постоянного тока
• Конструкция блока питания: MOSFET
• Каскад предусилителя на дискретных элементах
• Выходные каскады: Power MOSFET
• Настраиваемый фильтр НЧ / ВЧ
• Плавная регулировка чувствительности
• Встроенный эквалайзер НЧ "Bass EQ"
• Функция Remote Sensing  (для  Входов высокого уровня)
• Возможность работы с низкоомной нагрузкой
• Защита от перегрузки по току, перегрузки по напряжению и тепловая защита
• Топология печатной платы: S.T.A.R.
• Выходы RCA : не регулируемый выход (4 В)
• 4-канальный вход высокого уровня
• Голубой светодиодный индикатор питания на верхней панели усилителя
• Защита от перегрева : многоуровневое ограничение выходной мощности
• Полные габариты: мм: 200 x 55 x 200 мм
• Радиатор мм: 165 x 55 x 200 мм
• Питание: 14,4 В пост. тока (11 - 16 В)
• Масса: 1,7 кг

 Звуковые характеристики:

• Максимальная мощность: 640 Вт
• Мощность RMS  на канал, на 4 Ом, 14,4 В (≤1% КГИ+Ш): 50 Вт х 4
• Мощность RMS на канал, на 4 Ом, 14,4 В (≤1% КГИ+Ш): 75 Вт х 4
• Частота среза кроссовера (ФНЧ): 50 - 400 Гц (-12 дБ/окт.)
• Эквалайзер НЧ: Bass EQ (fc=50 Гц) от 0 до +12 дБ для 3 и 4 канала
• Входная чувствительность (по входу высокого уровня): 0,5 - 10 В
• Входное сопротивление: не менее 10 кОм
•  Частотная характеристика  (+0, -1дБ: 1 Вт на 4 Ом) для сабвуфера: 20 Гц-20 кГц
• КГИ+Ш (10 Вт на 4 Ом): менее 0,03%
• КГИ+Ш (10 Вт на 2 Ом): менее 0,05%
• КГИ+Ш (Номинальная мощность на 4 Ом): 0,08%
• КГИ+Ш (Номинальная мощность на 2 Ом):  0,1%
• Коэффициент демпфирования:(10 Вт на 4 Ом на 100 Гц): >90
• Отношение Сигнал/Шум (1Вт на 4 Ом): >81 dB
• Отношение Сигнал/Шум (номинальная мощность на 4 Ом): 98 дБ